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该项技术将实现存储行业根本性的突破，性能优于目前用于硬盘（SSD）和智能手机的、基于NAND技术的存储设备。例如，当前基于NAND的SSD写入周期有限，部分存储空间基本用作备份，以应对存储芯片坏死。

3D XPOINT在使用材料上的突破，允许其拥有更大的密度和性能，存储方式发生根本性变化，改变了存储材料的属性，这不同于阶段性变化，和以电子为基础的存储有着根本性的不同。

3D XPOINT技术使得存储器写入能力达到比特级别，这意味着在某种情况下，将无需进行传统意义上的SSD垃圾收集，单个存储单元中也无需使用晶体管。

不过，公司对所用材料的细节及其工作的技术原理，以及此次英特尔与美光合作所涉财务细节守口如瓶，成本也不明朗。英特尔表示，该产品将进入消费及企业市场，这意味着新的3D XPOINT产品将与基于当前存储技术的全部产品形成竞争，但它对当前存储产品的影响还不确定。

硬盘技术的更新显然没有尽头，尽管每次更新都提供优于SSD的容量、价格比、以及不受读/写周期限制。基于NAND的3D硬盘正在快速取代传统存储技术，提供超高速的SATA和PCIExpress接口，正在掀起新的浪潮。据悉新的3D XPOINT存储产品将于2016年推出，并在美国犹他州投产制造。